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一种单晶硅空心微针结构及其制作方法
- 专利权人:
- 苏州揽芯微纳科技有限公司
- 发明人:
- 王新国,俞骁
- 申请号：
- CN202110509927.8
- 公开号：
- CN113209466A
- 申请日:
- 2021.05.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种单晶硅空心微针结构及其制作方法，属于微纳加工技术领域。本发明采用(100)型的双面抛光硅片，包括A面和B面；对A面和B面进行涂光刻胶，制作刻蚀窗口和腐蚀窗口；然后对A面用深硅干法刻蚀工艺对A面进行刻蚀，在A面的刻蚀窗口内形成凹槽，在A面形成腐蚀保护膜；去除A面光刻胶；然后在硅片上沉积刻蚀保护层；将A面的腐蚀保护膜去除；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；A面形成楔形结构，B面的腐蚀窗口内形成凹槽；最后将硅片上残留的腐蚀保护膜去除，在硅片上生成亲水性保护膜。本发明采用的加工技术仅用一次深硅刻蚀工艺，结合单晶硅各向异性腐蚀工艺，具有成本低、适合批量生产的优点，从而具高度产业利用价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
