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ウェーハ表面計測のための高度化されたサイトベースのナノトポグラフィシステム及び方法
专利权人:
ケーエルエー−テンカー コーポレイション
发明人:
ハイガン チェン,サーゲイ カメンスキイ,ジャイディープ シンハ,プラディープ ヴィッカダーラ
申请号:
JP20130046622
公开号:
JP6265608(B2)
申请日:
2013.03.08
申请国别(地区):
日本
年份:
2018
代理人:
摘要:
The invention generally relates to systems and methods for providing micro defect inspection capabilities for optical systems. Each given wafer image is filtered, treated and normalized prior to performing surface feature detection and quantification. A partitioning scheme is utilized to partition the wafer image into a plurality of measurement sites and metric values are calculated for each of the plurality of measurement sites. Furthermore, transformation steps may also be utilized to extract additional process relevant metric values for analysis purposes
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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