大型EFG法用育成炉の蓋体構造
- 专利权人:
- 並木精密宝石株式会社
- 发明人:
- 樋口 数人,斎藤 弘倫
- 申请号:
- JP20150233995
- 公开号:
- JP2017100900(A)
- 申请日:
- 2015.11.30
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要:
- 【課題】EFG法を用いたサファイアリボンの複数枚同時育成が可能で、蓋体による温度条件の設定が容易なEFG法育成装置を提供する。【解決手段】EFG育成用坩堝に直接設けられた蓋体について、当該蓋体中央に貫通孔として設けられたダイパック用開口部の角部にスリットを設けることで、サファイア育成時に生じる蓋体内部の変形方向を調整し、2000℃付近となるマルチサファイアリボンの育成環境に際して、ダイパック側面と当該蓋体上に直接設けた熱反射板との距離を安定させることができる。【選択図】 図3
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