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基于草炭的苦瓜育苗基质
专利权人:
北京农学院
发明人:
刘超杰,韩莹琰,姜荣,杨瑞,王建立,王绍辉
申请号:
CN201510013246.7
公开号:
CN104488682A
申请日:
2015.01.09
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
郑立明`付久春
摘要:
本发明公开了一种基于草炭的苦瓜育苗基质,属于蔬菜育苗基质领域。该基质由草炭与蛭石按体积比3:2混配而成。通过将草炭与蛭石按体积比3:2混配作为基质,由于蛭石所占比例较大,使得基质的容重增大,总孔隙度、通气孔隙和持水孔隙减小,特别适用于苦瓜育苗,株高、茎粗、地上干重和根干重分别增加了18.6%、9.1%、33.7%和19.5%;提高了苦瓜的叶绿素含量,显著地促进了苦瓜幼苗的生长。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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