The present invention provides a method of obtaining a bright source of ions with narrow energy spread for focused ion beam applications using micro plasmas. As a preferred embodiment, a high pressure microplasma source operating in a normal glow discharge regime is used to produce a cold bright focused beam of Xe+ and/or Xe2+ ions having an ion temperature of the order of 0.5 -1 eV and a current density on the order of 0.1 -1 A/cm2 or higher.La présente invention concerne un procédé dobtention dune source lumineuse dions dotée dune dispersion dénergie étroite pour des applications de faisceau dions focalisés utilisant des microplasmas. Selon un mode de réalisation préféré, une source de microplasma à haute pression fonctionnant dans un régime normal de décharge luminescente est utilisée pour produire un faisceau focalisé lumineux et froid dions Xe+ et/ou Xe2+ dotés dune température ionique de lordre de 0,5 à 1 eV et dune densité de courant de lordre de 0,1 à 1 A/cm2 ou plus.
