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一种含有氢桥键的8-羟基喹啉类银配合物二聚晶体及其制备方法
专利权人:
广东工业大学
发明人:
高粱,孔腾飞,霍延平,汪松英,潘成强,李俊同,李宗植,潘金水
申请号:
CN201610392092.1
公开号:
CN106008338B
申请日:
2016.03.06
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明提供了一种含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体,具有式1所示结构,本发明中的含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体实现了研究氢桥键对金属有机配合物性能的影响的可能性,拓展了氢桥键的研究范围。并且该二聚晶体具有潜在的生物细胞活性,能够抑制癌细胞增殖。本发明还提供了一种含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体的制备方法,成功实现了具有电子传输和空穴传输双重功能的(E)‑2‑[2‑氯‑6‑氟苯乙烯基]‑8‑羟基喹啉与Ag配位,首次合成含卤素8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体,得到的含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物晶体具有良好热稳定性,并且制备工艺简单。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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