A high-frequency capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) (300) has a silicon membrane (320) and an overlying metal silicide layer (326) that together form a conductive structure which can vibrate over a cavity (322). The CMUT also has a metal structure (330) that touches a group of conductive structures. The metal structure has an opening (334) that extends completely through the metal structure to expose the conductive structure.Linvention concerne un transducteur à ultrasons micro-usiné capacitif haute fréquence (CMUT) (300) qui comprend une membrane en silicium (320) et une couche de siliciure métallique supérieure (326) qui forment conjointement une structure conductrice qui peut vibrer sur une cavité (322). Le CMUT présente également une structure métallique (330) qui touche un groupe de structures conductrices. La structure métallique est dotée dune ouverture (334) qui sétend complètement à travers la structure métallique afin dexposer la structure conductrice.
