一种霍山石斛的快速繁殖方法
- 专利权人:
- 江南大学
- 发明人:
- 毛健,姬中伟,张敏,牟穰,阳志锐,郭燕飞,黎卫,冯东阳,巩丹,刘芸雅
- 申请号：
- CN201310061665.9
- 公开号：
- CN104012401A
- 申请日:
- 2013.02.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 一种霍山石斛的快速繁殖方法，取石斛果实内种子或茎尖或带腋芽的幼茎，果在纯乙醇中浸一下，然后在酒精灯火焰上燃烧，然后用于接种；茎尖或幼茎经清水冲洗后，分别用75％酒精、0.2％氯化汞(升汞)溶液进行表面消毒，无菌水冲洗3-4次，置于灭菌后的滤纸上吸干水分，于无菌条件下，将茎段剪成0.5-1.5cm的带节小段，接种在培养基中，待种子萌发或茎尖和幼茎长成拟原球茎，进行继代培养大量增殖，然后将原球茎放在分化芽的培养基上，待芽条高2-3cm时转入生根培养基，待试管苗具4-5片伸展叶，根系正常，高度达6cm及以上时，出瓶移栽。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
