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一种优化植入医疗器械在MRI中射频发热的方法和系统
专利权人:
兰州大学
发明人:
姚爱萍,苏耀东
申请号:
CN202211251409.1
公开号:
CN115561687A
申请日:
2022.10.13
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本发明涉及核磁共振成像技术领域,具体公开了一种优化植入医疗器械在MRI中射频发热的方法和系统,优化方法包括以下步骤:获取植入医疗器械在特定射频磁场下的传递函数h(l);获取人体组织在各个射频信号通道下沿植入医疗器械路径的切向入射电场Etan(l);获取人体组织在各个射频信号通道下感兴趣成像区域的B1+磁场强度;建立优化条件和目标;通过凸优化算法从建立的优化条件和目标中求出满足条件的最优发射向量v,从而设置优化后的射频线圈。本发明提供的优化方法和系统,通过优化MRI的射频线圈的发射向量,能够实现在保证成像质量的同时,大大降低可能引起的人体组织发热,从而降低患者在MRI扫描中可能存在的风险。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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