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制备细晶高致密的氧化钇弥散强化钨基合金的方法
专利权人:
天津大学
发明人:
马宗青,董智,柳楠,刘永长,刘晨曦,余黎明
申请号:
CN201610964878.6
公开号:
CN106513683A
申请日:
2016.11.04
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
王丽
摘要:
本发明涉及制备细晶高致密的氧化钇弥散强化钨基合金的方法;利用两步放电等离子体烧结:将W‑Y2O3复合前驱体粉末置于石墨模具中,压实后将模具放入SPS烧结炉腔体中,在真空度为3~16pa、初压为10~30Mpa的条件下进行两步烧结;首先将温度升到900~1300℃并保温1~5min进行第一步烧结,然后将温度升到1400~1700℃并保温0.5~3min进行第二步烧结;得到细晶高致密的W‑Y2O3合金。烧结后的W‑Y2O3合金的晶粒尺寸小于600nm、相对密度大于96%、维氏显微硬度达到1078.31Hv,提高了该合金的综合力学性能和加工性能,为在核工业、航空航天等领域的应用提供了技术支持。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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