离子产生装置及制造方法
- 专利权人:
- 夏普株式会社
- 发明人:
- 西田弘,岩下安广,谷口三奈子
- 申请号：
- CN201680013063.8
- 公开号：
- CN108141013B
- 申请日:
- 2016.12.02
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明中,使放电电极的刷状导电体不接触本装置的表面。离子产生装置(1)具备:通过放电而产生离子的放电电极(21、22)、收容基端部(33、34)的一部分的收容部(70),放电电极(21、22)的刷状导电体安装于该基端部(33、34),收容部(70)中填充有树脂。离子产生装置(1)还具备表示该树脂的表面水平的上限的限制部件(100)。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
