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非接触磁感应式颅内压监测装置
- 专利权人:
- 中国人民解放军第三军医大学生物医学工程与医学影像学院
- 发明人:
- 秦明新,金贵,孙建,郭万有,席安安,徐林,宁旭,许佳
- 申请号：
- CN201210502749.7
- 公开号：
- CN102973260B
- 申请日:
- 2012.11.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种非接触磁感应颅内压监测装置，包括用于生成激励信号和参考信号的激励源；以及一个环绕在被测头颅周围的磁感应检测装置，该磁感应检测装置连接于所述激励源输出端，根据激励源提供的激励信号产生交变的激励磁场信号，激励磁场信号穿过整个被测头颅，激励磁场信号和二次磁场信号叠加在一起形成一个相对于参考信号发生相位改变的叠加磁场信号；以及鉴相器，鉴相器对所述参考信号和叠加磁场信号的相位差进行检测，该相位差用于反映颅内容物对颅腔壁产生的压力变化。本发明可克服脑早期病变引起ICP升高时，有脑脊液和脑血流动力学的调节作用，使ICP升高不大，导致直接ICP监测无法敏感地反映早期病变的改变的缺陷。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
