磁共振成像装置及其制造方法
- 专利权人:
- 三星电子株式会社
- 发明人:
- 崔胜齐,朴东瑾,黄圭完
- 申请号：
- CN201310438793.0
- 公开号：
- CN103654787B
- 申请日:
- 2013.09.24
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 一种磁共振成像(MRI)方法和装置,其中导体安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中以消除在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的不对称。该结构在偏离静磁场线圈单元和梯度线圈单元的同心布置时允许涡流电流的对称布置。MRI装置包括:静磁场线圈单元,配置为在目标中形成静磁场;梯度线圈单元,配置为在静磁场中形成梯度场;和一个或多个导体,安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中,并配置为使静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
