提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法
- 专利权人:
- 上海华虹NEC电子有限公司
- 发明人:
- 马清杰,金勤海,缪进征
- 申请号：
- CN200710093843.0
- 公开号：
- CN101315894B
- 申请日:
- 2007.05.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 周赤
- 摘要：
- 本发明公开了一种提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法，该方法包括：(1)沟槽刻蚀采用90度刻蚀工艺；(2)第一层多晶硅的淀积和刻蚀工艺为：先生长不掺杂的多晶硅，后对该多晶硅进行掺杂，最后刻蚀掺杂后的多晶硅。根据本发明的方法步骤制备的功率MOS器件，两层多晶硅之间的击穿电压得到很大的提高，并且器件的电性能的均匀性也可以得到大幅度提高，可广泛应用于沟槽型双层栅功率MOS器件的制备中。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
