一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片
- 专利权人:
- 上海空间推进研究所
- 发明人:
- 黄柳莺,范晓琳,张毅,李奕辉,王睿
- 申请号：
- CN201310045805.3
- 公开号：
- CN103151342B
- 申请日:
- 2013.02.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 郭国中
- 摘要：
- 本发明提供一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其包括多组功率开关，每一组功率开关作为一路阀门的输出，所述功率开关包括第一功率MOS管V1、第二功率MOS管V2、第三功率MOS管V3、第四功率MOS管V4，V1和V2串联而成的左桥臂作为第一上下桥臂驱动端，V3和V4串联而成的右桥臂作为第二上下桥臂驱动端，所述左桥臂与右桥臂并联。本发明实现了单芯片的多路阀门驱动和整器的减重减小体积的要求，减少了板极线的内部互连，精简了板级布线设计并且芯片简洁可靠，该芯片将在航天领域具有重大的意义。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
