Described herein are technologies to facilitate computed tomographic techniques to help identifying chemical species during plasma processing of a substrate (e.g., semiconductor wafer) using optical emission spectroscopy (OES). More particularly, the technology described herein uses topographic techniques to spatially resolves emissions and absorptions in at least two-dimension space above the substrate during the plasma processing (e.g., etching) of the substrate. With some implementations utilize optical detectors positioned along multiple axes (e.g., two or more) to receive incident incoming optical spectra from the plasma chamber during the plasma processing (e.g., etching) of the substrate. Because of the multi-axes arrangement, the incident incoming optical spectra form an intersecting grid.Linvention concerne des technologies permettant de faciliter des techniques tomographiques assistées par ordinateur pour aider à identifier des espèces chimiques pendant le traitement au plasma dun substrat (par exemple, une tranche de semi-conducteur) à laide dune spectroscopie démission optique (OES). Plus précisément, la technologie de linvention utilise des techniques topographiques pour résoudre spatialement les émissions et les absorptions dans au moins un espace à deux dimensions au-dessus du substrat pendant le traitement au plasma (par exemple, la gravure) du substrat. Certains modes de réalisation utilisent des détecteurs optiques positionnés le long de multiples axes (par exemple, au moins deux) pour recevoir des spectres optiques entrants incidents provenant de la chambre à plasma pendant le traitement au plasma (par exemple, la gravure) du substrat. Grâce à lagencement à axes multiples, les spectres optiques entrants incidents forment une grille dintersection.
