适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法及其装置
- 专利权人:
- 中国科学院南海海洋研究所
- 发明人:
- 黄晖,张浴阳,黄洁英,张成龙,练健生
- 申请号：
- CN201110393726.2
- 公开号：
- CN102487899B
- 申请日:
- 2011.12.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 刘明星
- 摘要：
- 本发明公开了一种适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法及其装置。该方法包括以下步骤：将造礁石珊瑚附着装置固定在水深3～10m的高沉积海域海底，该造礁石珊瑚附着装置包括附着网片和附着网片下方支撑附着网片的支撑架，附着网片的网孔大小为3～5cm，将造礁石珊瑚固定在附着网片上，使造礁石珊瑚生长在离海底50cm以上的高度。利用本发明的适于高沉积水体环境的造礁石珊瑚野外培植方法培植造礁石珊瑚，相比于传统的水泥块移植，可提高培植珊瑚的存活率，还可缩减一半成本，并且减少水下工作量及减低水下工作危险。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
