纳米金-硅溶胶-聚乙烯基吡咯烷酮修饰金电极的制备方法
- 专利权人:
- 广西科技大学
- 发明人:
- 李利军,杨兰兰
- 申请号：
- CN201410760580.4
- 公开号：
- CN104458855A
- 申请日:
- 2014.12.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 张秋云
- 摘要：
- 本发明公开了纳米金-硅溶胶-聚乙烯基吡咯烷酮修饰金电极的制备方法，在搅拌条件下将氯金酸溶液加热后添加柠檬酸三钠制备纳米金；将金电极抛光活化，反复扫描至得到稳定的CV曲线；将硅溶胶、纳米金、1%PVP混合得到纳米金-硅溶胶-聚乙烯基吡咯烷酮复合液，将处理后的金电极浸入该复合液中30s，室温下晾干即可。本发明的有益效果为：硅溶胶的三维网络结构，使其具有较高的吸附性和粘结性、较好的生物相容性及催化活性等特点。同时，聚乙烯吡咯烷酮K-30的加入改善了硅溶胶易龟裂的缺陷。纳米金具有表面活性高、比表面积大及导电性好等特点，可促进电极与表面修饰物的电子传递。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
