The method comprises the steps of configuring a panel plate as an entry window for high energy electromagnetic radiation, such as x-rays or gamma rays, and mounting a bias plate on the panel plate, the bias plate conducting electricity and passing radiation. And mounting an array of tiles, each tile having a direct conversion compound semiconductor sensor and readout integrated circuit on a bias plate such that a direct conversion compound semiconductor sensor is configured on the bias plate. Wherein the direct conversion compound semiconductor sensor is configured to convert photons of high energy electromagnetic radiation, such as x-rays or gamma rays, into a current, and wherein the readout IC layer comprises a direct conversion compound semiconductor. Located next to the sensor, accepts current and Configured to process. The invention also relates to a detector comprising an array of assemblies and an imaging system comprising an x-ray source and a detector. [Selection diagram] FIG.方法は、ｘ線またはガンマ線などの高エネルギ電磁放射線に対する入口ウィンドウとしてパネルプレートを構成するステップと、パネルプレート上にバイアスプレートを取り付けるステップであって、バイアスプレートは電気を導通し、かつ放射線を通過させる、ステップと、タイルのアレイを取り付けるステップであって、各タイルは、バイアスプレート上に直接変換型化合物半導体センサが構成されるように、バイアスプレート上に直接変換型化合物半導体センサおよび読み出し集積回路ＩＣ層を含む、ステップと、を含み、直接変換型化合物半導体センサは、ｘ線またはガンマ線などの高エネルギ電磁放射線の光子を電流に変換するように構成され、読み出しＩＣ層は直接変換型化合物半導体センサの隣に位置し、電流を受け入れて電流を処理するように構成される。また、アセンブリのアレイを含む検出器と、ｘ線源および検出器を備えるイメージングシステムに関する。【選択図】図３
