一种片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料及其制备和应用
- 专利权人:
- 中南大学
- 发明人:
- 杨卫春,柴立元,李超芳,刘恢,王海鹰,唐崇俭,杨志辉,廖骐
- 申请号：
- CN201611132090.5
- 公开号：
- CN106745170B
- 申请日:
- 2016.12.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 袁靖
- 摘要：
- 本发明公开了一种片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料及其制备和在脱汞方面的应用。包括如下步骤：以一定比例的硝酸铈和钴盐为原料，以尿素作为碱源，以聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂，混合水解反应，得到的混合物经水热恒温保存和洗涤干燥后，再经过煅烧，获得形貌规则、尺寸均一、完整的片状纳米结构的钴掺杂氧化铈。本发明所制备的钴掺杂氧化铈材料结构新颖，原料简单易得，工序简单，反应过程清洁，无二次污染。应用于气体中汞的脱除，方法简单，脱汞效果好，处理浓度为75μg/m3的Hg0蒸气，在无氧或通入4％氧气条件下，脱汞率均可达到97％以上。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
