一种耐高温PTC高分子导电材料及其制备方法
- 专利权人:
- 安徽琦迅强电子科技有限公司
- 发明人:
- 谷道荣
- 申请号：
- CN201310206211.6
- 公开号：
- CN103333386B
- 申请日:
- 2013.05.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 余成俊
- 摘要：
- 本发明公开了一种耐高温PTC高分子导电材料及其制备方法，其组成原料为：茂金属聚乙烯、呋喃树脂、甲基三丁酮肟基硅烷、秸秆灰烬、改性蒙脱石粉、碳纤维、N,N'‑间苯撑双马来酰亚胺、防老剂ODA、抗氧剂DLTP、2‑（羧乙基）三苯基氯化膦和脂肪醇聚氧乙烯醚；本发明采用茂金属聚乙烯和呋喃树脂作为主料，价格低廉，同时添加了填料改性蒙脱石粉、碳纤维和秸秆灰烬，使PTC高分子导电材料的弹性模量提高、最大值应力和断裂点应力增大，提高了PTC高分子材料抗拉伸性能，而且材料的电阻稳定、耐温度，并延长材料的使用寿命。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
