您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

BIASING OF A CURRENT GENERATION ARCHITECTURE FOR AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE
专利权人:
BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATIONCORPORATION
发明人:
MARNFELDT, Goran, N.,WEISS, Philip, L.,WEERAKOON, Pujitha,WAGENBACH, David, M.,FELDMAN, Emanuel,GURURAJ, Kiran, K.
申请号:
USUS2017/050296
公开号:
WO2018/048914A1
申请日:
2017.09.06
申请国别(地区):
WO
年份:
2018
代理人:
摘要:
Digital-to-analog converter (DAC) circuitry for providing currents at electrodes of an Implantable Pulse Generator (IPG) is disclosed. The DAC circuitry includes at least one PDAC for sourcing current to the electrodes, and at least one NDAC for sinking current from the electrodes. The PDACs are powered with power supplies VH (the compliance voltage) and Vssh in a high power domain, and the NDACs are powered with power supplies Vcc and ground in a low power domain. VH may change during IPG operation, and Vssh preferably also changes with a fixed difference with respect to VH. Digital control signals to the PDACs are formed (and possibly converted into) the high power domain, and transistors used to build the PDACs are biased in the high power domain, and thus may also change with VH. This permits transistors in the PDACs and NDACs to be made from normal low-voltage logic transistors.Linvention concerne des circuits de convertisseur numérique-analogique (DAC) pour fournir des courants au niveau délectrodes dun générateur dimpulsions implantable (IPG). Le circuit DAC comprend au moins un PDAC pour fournir un courant aux électrodes, et au moins un NDAC pour absorber un courant à partir des électrodes. Les PDAC sont alimentés avec des alimentations électriques VH (la tension de conformité) et Vssh dans un domaine de puissance élevée, et les NDAC sont alimentés avec des alimentations électriques Vcc et mis à la terre dans un domaine de faible puissance. VH peut changer pendant le fonctionnement de lIPG, et la Vssh varie de préférence également avec une différence fixe par rapport à VH. Des signaux de commande numérique aux PDAC sont formés (et éventuellement convertis) dans le domaine de puissance élevée, et des transistors utilisés de manière à construire les PDAC sont polarisés dans le domaine de puissance élevée, et peuvent ainsi également varier avec VH. Cela permet de fabriquer des transistors dans les PDAC et les NDAC à partir de transistors logiques à basse tensio
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充