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柔性铌酸锂薄膜脑电检测芯片及装置
- 专利权人:
- 派尼尔科技(天津)有限公司
- 发明人:
- 丁宁,华平壤
- 申请号：
- CN202110536669.2
- 公开号：
- CN113261968A
- 申请日:
- 2021.05.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供柔性铌酸锂薄膜脑电检测芯片及装置，该芯片包括：柔性铌酸锂基底，柔性铌酸锂基底上制作有光波导以及共面行波电极；柔性支撑层，用于为柔性铌酸锂基底提供支撑；柔性支撑层表面设置有电极，共面行波电极与该电极电连接。发明中，柔性铌酸锂基底以及柔性支撑层具有柔性，能够更好地和人脑表面贴合；柔性支撑层和人脑表面贴合，柔性支撑层的电极与人脑电接触，电极采集到脑电信号，传输到铌酸锂基底上的共面行波电极上，在共面行波电极间形成微弱的电场，引起柔性铌酸锂基底折射率发生变化，光从光波导传输经过折射率发生变化的调制区域，光程发生改变，在输出时的相位发生变化；由于远距离传输是使用的光传输，不易受到电磁干扰。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
