一种多脑区记录电极、制作方法及植入方法
- 专利权人:
- 中国科学院深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 王璐璐,鲁艺,钟成,曹燚,潘苏婉,王立平
- 申请号：
- CN201910796217.0
- 公开号：
- CN110464330A
- 申请日:
- 2019.27.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种多脑区记录电极、制作方法及植入方法,涉及医疗设备技术领域。该多脑区记录电极包括排针及多个相互并列连接的单脑区电极,多个单脑区电极分别具有相对设置的连接端和植入端,多个单脑区电极的连接端分别与排针电连接,多个单脑区电极均沿同一方向延伸,任意两个单脑区电极的植入端在单脑区电极的延伸方向上间隔设置,多个单脑区电极的所述植入端用于分别插入至不同的目标脑区。本发明提供的多脑区记录电极能够同时植入至多个目标脑区,方便快捷,节约时间及人力成本,且适用性广。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
