一种石墨烯温度传感器及其制备工艺
- 专利权人:
- 西安电子科技大学
- 发明人:
- 张鹏,马中发,吴勇,庄奕琪,赵钰迪,冯元博,陈祎坤
- 申请号：
- CN201310586376.0
- 公开号：
- CN103630254B
- 申请日:
- 2013.11.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 汤东凤
- 摘要：
- 本发明公开了一种石墨烯温度传感器及其制备工艺，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。采用将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。本发明的石墨烯温度传感器相较于现有的传感器，该温度传感器有很高的敏感度，较低的本征噪声以及很高的探测速度。这在航天领域有很好的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
