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一种瑞格非尼的晶体及其制备方法
专利权人:
连云港润众制药有限公司
发明人:
杨雷雷,张爱明,程兴栋,张喜全,朱雪焱,袁哲东
申请号:
CN201410250111.8
公开号:
CN105218439B
申请日:
2014.06.06
申请国别(地区):
CN
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明提供一种瑞格非尼的晶体及其制备方法,使用Cu‑Kα辐射,其在X‑射线粉末衍射图谱中,在2θ约为7.20、13.34、14.46、14.72、15.57、16.44、17.17,18.52、18.80、19.75、23.37、23.75、24.22、24.71、25.84、26.23、26.35、27.11、27.40、29.24、30.33、31.5和34.92处有衍射峰。本发明提供的瑞格非尼晶体的制备方法简单,溶剂价廉易得,结晶条件温和,适合于工业化大生产。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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