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カルコゲナイド半導体を製作するために有用なアルカリ金属含有前駆体膜の高速スパッタ堆積
- 专利权人:
- ヌボサン，インコーポレイテッド
- 发明人:
- デニス・アール・ホラーズ,プサー・ポールソン,ドナルド・パーソン,アーサー・シー・ウォール
- 申请号：
- JP20170536899
- 公开号：
- JP2018505311(A)
- 申请日:
- 2015.12.17
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、アルカリ金属化合物を含む膜をスパッタリング堆積するための方法を提供する。１つ以上のアルカリ金属化合物及び少なくとも１つの金属成分を含む少なくとも１つのターゲットをスパッタリングして、１つ以上の対応するスパッタ膜を形成する。少なくとも１つのターゲットは、１５：８５〜８５：１５の範囲での、アルカリ金属化合物対少なくとも１つの金属成分の原子比を有する。このようなアルカリ金属化合物を組み込むスパッタ膜は、同様に１つ以上のカルコゲナイド前駆体膜を含む前駆体構造に組み込まれる。この前駆体構造が、少なくとも１つのカルコゲンの存在下で加熱されて、カルコゲナイド半導体を形成する。結果として生じるカルコゲナイド半導体は、最大２原子パーセントのアルカリ金属含有量を含み、結果として生じる
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
