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IMPLANT CHIRURGICAL
专利权人:
LLC;SYNTHES USA;SYNTHES GMBH;GEDET, Philippe;BOUDUBAN, Nicolas;VOISARD, Cyril;SYNTHES USA, LLC
发明人:
VOISARD, Cyril,GEDET, Philippe,BOUDUBAN, Nicolas
申请号:
USUS2012/040437
公开号:
WO2012/167063A1
申请日:
2012.06.01
申请国别(地区):
US
年份:
2012
代理人:
摘要:
A surgical implant comprising: a substrate having an exterior surface and a plurality of layers disposed over the substrate exterior surface. The substrate comprises a polymeric material, and the plurality of layers comprises: an activated substrate surface layer; a valve metal layer; and a porous valve metal oxide layer, wherein the valve metal layer is disposed between the activated substrate layer and the porous valve metal oxide layer. The disclosure provides for a method for producing a polymeric surgical implant. The exterior substrate surface is treated by one or more processes comprising: plasma activation; electron beam irradiation; ultraviolet light; and low energy Ar+ ion beam irradiation; producing an activated substrate surface layer. A plurality of layers is applied over the activated substrate surface layer. The surface is converted by a spark-anodization process in an alkaline bath containing Ca and P ions into a layer of porous valve metal oxide.L'invention concerne un implant chirurgical qui comporte : un substrat ayant une surface extérieure et une pluralité de couches disposées sur la surface extérieure du substrat. Le substrat comporte une matière polymère, et la pluralité de couches comportent : une couche de surface de substrat activée ; une couche métallique de valve ; une couche d'oxyde métallique de valve poreuse, la couche métallique de valve étant disposée entre la couche de substrat activé et la couche d'oxyde métallique de valve poreuse. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un implant chirurgical polymère. La surface de substrat extérieure est traitée par un ou plusieurs procédés comportant : une activation par plasma ; une irradiation par faisceau d'électrons ; une lumière ultraviolette ; une irradiation par faisceau d'ions Ar+ de faible énergie, ce qui mène à l'obtention d'une couche de surface de substrat activée. Plusieurs couches sont appliquées sur la couche de surface de substrat activée. La surface est convertie par
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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