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用于确定正电子发射断层造影仪中的辐射衰减的方法
- 专利权人:
- 西门子公司
- 发明人:
- 马塞厄斯.芬切尔,拉尔夫.雷德贝克
- 申请号：
- CN201110155222.7
- 公开号：
- CN102293662B
- 申请日:
- 2011.06.10
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种用于确定由正电子发射断层造影仪(2)中的物体(7)造成的辐射衰减的方法。在该方法中在正电子发射断层造影仪(2)中设置模体对象(6)。在所述物体(7)未被设置在该正电子发射断层造影仪(2)中期间采集该模体对象(6)的第一辐射原始数据。根据第一辐射原始数据计算出所述模体对象(6)的第一图像。然后将所述物体(7)设置在正电子发射断层造影仪(2)中，并且规定该物体(7)的临时的辐射衰减。在所述物体(7)被设置在正电子发射断层造影仪(2)中期间采集所述模体对象(6)的第二辐射原始数据。在考虑所述临时的辐射衰减的情况下根据该第二辐射原始数据计算出所述模体对象(6)的第二图像。基于第一图像和第二图像对所述物体的辐射衰减进行校准。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
