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放射線検出器
专利权人:
SHIMADZU CORP
发明人:
SANO SATORU,佐野 哲,SATO TOSHIYUKI,佐藤 敏幸,TANABE KOICHI,田邊 晃一,YOSHIMUTA TOSHINORI,吉牟田 利典,TOKUDA SATOSHI,徳田 敏
申请号:
JP2013088339
公开号:
JP2014211383A
申请日:
2013.04.19
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector capable of fining a pixel.SOLUTION: A flat panel type X-ray detector includes silicon penetration electrodes TSV used for a three-dimensional mounting package in which a plurality of IC chips are stacked vertically. In other words, through holes VIA in a substrate 1 into which the silicon penetration electrodes TSV are to be inserted can be fined, and the pitch of silicon penetration electrodes TSV inserted into the through holes VIA can be made narrower than the conventional pitch. A pixel electrode 41 is formed by inserting the silicon penetration electrodes TSV into the through holes VIA in the substrate 1 made of silicon, so that the pixel can be fined.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】ピクセル(画素)の微細化を実現することができる放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】複数のICチップを垂直に積層する3次元実装パッケージに用いられるシリコン貫通電極TSVをフラットパネル型X線検出器に用いる。すなわち、シリコン貫通電極TSVを挿入するための基板1の貫通孔VIAは微細化が可能で、貫通孔VIAに挿入されたシリコン貫通電極TSVのピッチも従来よりも狭くすることができる。シリコンからなる基板1の貫通孔VIAにシリコン貫通電極TSVを挿入して画素電極41を形成しているので、ピクセルの微細化を実現することができる。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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