阿齐沙坦A型晶体的制造方法
- 专利权人:
- 株式会社德山
- 发明人:
- 森博志
- 申请号：
- CN201980012161.3
- 公开号：
- CN111699183A
- 申请日:
- 2019.01.25
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 根据本发明，提供一种阿齐沙坦A型晶体的制造方法，所述阿齐沙坦A型晶体根据使用Cu‑Kα射线的X射线衍射，至少在2θ＝9.2°、12.1°、21.6°、23.7°处具有特征峰，所述制造方法的特征在于，使至少在2θ＝9.4°、11.5°、13.3°、14.8°、26.0°处具有特征峰的阿齐沙坦晶体与选自质子性溶剂、酯类、和乙腈中的至少1种溶剂接触。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
