ダイ上の積層再分配層

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专利权人:

クアルコム，インコーポレイテッド

发明人:

クリスティーン・サン−アン・ハウ−リッジ,ヨウ−ウェン・ヤウ,ケヴィン・パトリック・カフェイ,リザベス・アン・ケザー,ジーン・エイチ・マカリスター,レイナンテ・タムナン・アルヴァラド,スティーヴ・ジェイ・ベズク,ダミオン・ブライアン・ガステルム

申请号：

JP20160515942

公开号：

JP6143950(B2)

申请日:

2014.07.30

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

Some implementations provide a semiconductor device (e.g., die) that includes a substrate, several metal layers and dielectric layers coupled to the substrate, a pad coupled to one of the plurality of metal layers, a first metal redistribution layer coupled to the pad, and a second metal redistribution layer coupled to the first metal redistribution layer. The second metal redistribution layer includes a cobalt tungsten phosphorous material. In some implementations, the first metal redistribution layer is a copper layer. In some implementations, the semiconductor device further includes a first underbump metallization (UBM) layer and a second underbump metallization (UBM) layer.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/