凤仙花无土栽培基质
- 专利权人:
- 天津滨海国际花卉科技园区股份有限公司
- 发明人:
- 杨铁顺
- 申请号：
- CN201010537606.0
- 公开号：
- CN102090302A
- 申请日:
- 2010.11.10
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 赵庆
- 摘要：
- 本发明属于植物栽培基质领域，特别是凤仙花无土栽培基质领域。凤仙花无土栽培基质，其特征是：由品氏育苗基质土(0～10mm)和珍珠岩以以下体积比组成：2.5∶1～3.5∶1。与现有技术相比，本发明弥补了常用栽培基质中蛭石的保水性差，营养液吸收不充分的缺点，使得凤仙花在植株高度、根长度、根数量、以及茎粗方面明显增加。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
