一种利用稻壳深度氧化生产纳米二氧化硅的装置
- 专利权人:
- 王开辉
- 发明人:
- 王开辉
- 申请号：
- CN201410468393.9
- 公开号：
- CN105883816A
- 申请日:
- 2014.09.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种稻壳控温完全氧化生产纳米二氧化硅装置，包括有一个氧化筒体、一个颗粒选择器、一组高速喷气嘴、一个进料口和一个出料口。进料口上端设两道气动闸阀，与螺旋输送器相连。出料口与外部的旋风分离器、过滤器、高温引风机相连。耐高温的氧化筒内衬耐磨耐高温的合金钢、陶瓷或碳化硅；外部安装保温夹套。颗粒选择器安装在氧化筒体的内部上端，通过传动轴、机械密封与氧化筒体紧密相连，高速变频电机驱动。高速喷气嘴设在氧化筒体的下部，数量呈奇数设置，小倾角角度安装。高速喷气嘴使用高温高压的压缩空气。本发明装置生产出的二氧化硅是无定形的纳米结构，杂质碳完全氧化，产品纯度极高；产品被粉碎成极微细的细小颗粒。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
