一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用

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专利权人:

济南大学

发明人:

鲍春竹,范大伟,刘昕,张勇,马洪敏,吴丹,王欢,魏琴,杜斌,胡丽华

申请号：

CN201810687088.7

公开号：

CN108845015A

申请日:

2018.06.28

申请国别(地区):

中国

年份:

2018

代理人:

高强

摘要：

本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用，属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO₃纳米片，再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO₂纳米刺紧密的结合在WO₃纳米片上，WO₃和TiO₂的能带结构和晶格结构间的双重匹配，增强了WO₃的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag₂O纳米颗粒，得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO₃/TiO₂/Ag₂O，该材料在谷胱甘肽存在的条件下，显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法，将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO₃/TiO₂/Ag₂O复合材料上，利用WO₃/TiO₂/Ag₂O优异的光电活性

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/