一种导电介质存储结构及基于其的脑电监测传感器
- 专利权人:
- 合肥诺和电子科技有限公司
- 发明人:
- 刘久红,赵正
- 申请号：
- CN202222007768.4
- 公开号：
- CN218279652U
- 申请日:
- 2022.08.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 本实用新型公开了一种导电介质存储结构及基于其的脑电监测传感器，包括可形变的存储槽、设置在所述存储槽槽口处的封板，所述封板上设置有导流孔，所述导流孔与电极上的导电介质涂覆槽相对设置；导电介质存储在所述存储槽中且导电介质外包裹有密封膜，挤压所述存储槽时所述密封膜破裂，导电介质由所述导流孔进入导电介质涂覆槽中。通过设置密封膜对导电介质进行全包裹密封，加强导电介质的存储的密封性，避免导电介质在存储过程中凝固。同时，将密封膜设置为按压即破的材质，存储槽设置为可形变的材质，按压存储槽密封膜即可破裂，提升使用便利性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
