Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine poröse Mikronadelanordnung mit Rückseitenanschluss und eine entsprechende poröse Mikronadelanordnung. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Bilden einer Mikronadelanordnung (4) mit mindestens einer Mikronadel (4a 4b) auf der Vorderseite (VS) eines Halbleitersubstrats (1), welche sich von einem Stützbereich (1b) des Halbleitersubstrats (1) erheben Bilden einer Maskierschicht (2) auf der Rückseite des Halbleitersubstrats (1), wobei die Maskierschicht (2) eine Durchgangsöffnung (3a 3b) im Rückseitenbereich (RS RS") der mindestens einen Mikronadel (4a 4b) aufweist und Porosifizieren der Mikronadelanordnung (4) und zumindest eines Teils des Stützbereichs (1b) in einem anodischen Ätzprozess, welcher die Mikronadelanordnung (4) und die Stützschicht (4) selektiv gegenüber der Maskierschicht (2) ätzt, wobei ein Stromfluss (I) ausgehend von der Mikronadelanordnung (4) durch die Durchgangsöffnung (3a 3b) verläuft wobei die mindestens eine Mikronadel (4a 4b) und ein in deren Rückseitenbereich (RS RS") oberhalb der Durchgangsöffnung (3a 3b) liegender Bereich der Stützschicht (1b) derart porosifiziert werden, dass eine poröse Mikronadel (4a 4b) mit der Durchgangsöffnung (3a 3b) als Rückseitenanschluss entsteht.The invention relates to a production method for a porous micro needle assembly having rear face connection and corresponding porous micro needle assembly. The method comprises the following steps: forming a micro needle assembly (4) having at least one micro needle (4a 4b) on the front face (VS) of a semiconductor substrate (1) which rises from a supporting region (1b) of the semiconductor substrate (1) forming a masking layer (2) on the rear face of the semiconductor substrate (1), wherein the masking layer (2) has a through passage (3a 3b) in the rear face region (RS RS") of the at least one micro needle (4a 4b) and porosifying the micro needle assembly (4) and at least one part of the supporting r
