An implant with one or more outer surfaces extending in its longitudinal direction. The outer surface comprises one or more outer threads and an underlying wave pattern with long waves or intermediate-length waves. An oxide layer, a shot-peened layer or an etched layer is arranged on the top of said wave pattern. The long waves and preferably also the intermediate-length waves extend substantially in said longitudinal direction. The wave pattern with the long waves has a trough depth in the range of 75 to 150 µm. The wave pattern with the intermediate-length waves has a trough depth in the range of 10 to 75 µm.L'invention concerne un procédé et un système de production d'un implant. Le système comporte une ou plusieurs surfaces orientées dans la direction longitudinale de l'implant. Le procédé peut comporter deux ou trois étapes de production. Une étape consiste, soit à produire par découpe une configuration qui présente une longue courbe d'onde, soit à produire une configuration qui présente une courbe d'onde de longueur intermédiaire par bombardement laser ou au moyen d'une nouvelle découpe. Par ailleurs, une couche extérieure est formée au moyen d'un processus d'oxydation, par grenaillage de précontrainte ou par gravure. Lorsque deux desdites étapes de production sont utilisées, le travail de découpe, le bombardement laser ou le nouveau travail de découpe sont suivis du processus d'oxydation ou du procédé de grenaillage de précontrainte ou de gravure. Lorsque les trois étapes de production sont utilisées, le travail de découpe est suivi du bombardement laser ou d'un nouveau travail de découpe, lequel est à son tour suivi, par exemple, du processus d'oxydation. L'invention concerne également un implant produit au moyen dudit procédé et identifié, classé et produit au moyen du système selon l'invention. L'invention permet de traiter efficacement différentes situations d'implant.
