An information recording/reproducing device is provided with a semiconductor substrate (31), a first internal connecting layer (ICA1) formed on the semiconductor substrate (31), a first memory cell array layer (MAL1) formed on the first internal connecting layer (ICA1), and a second internal connecting layer (ICA2) formed on the first memory cell array layer (MAL1). The first memory cell array layer (MAL1) is composed of an insulating layer (21) having an alignment mark (22B), and a multilayer structure which is formed on the insulating layer (21) and includes a recording layer (25) and an electrode layer (26). All the layers in the multilayer structure are composed of a material having a visible light transmissivity of 1% or more.Linvention porte sur un dispositif denregistrement/reproduction dinformations qui comporte un substrat semi-conducteur (31), une première couche de connexion interne (ICA1) formée sur le substrat semi-conducteur (31), une première couche de réseau de cellules mémoire (MAL1) formée sur la première couche de connexion interne (ICA1) et une seconde couche de connexion interne (ICA2) formée sur la première couche de réseau de cellules mémoire (MAL1). La première couche de réseau de cellules mémoire (MAL1) est composée dune couche isolante (21) ayant un repère dalignement (22B), et dune structure multicouche qui est formée sur la couche isolante (21) et comprend une couche denregistrement (25) et une couche délectrode (26). Toutes les couches dans la structure multicouche sont composées dun matériau ayant une transmissivité de lumière visible de 1% ou plus.本発明の例に係わる情報記録再生装置は、半導体基板31と、半導体基板31上に形成される第一内部接続層ICA1と、第一内部接続層ICA1上に形成される第一メモリセルアレイ層MAL1と、第一メモリセルアレイ層MAL1上に形成される第二内部接続層ICA2とを備える。第一メモリセルアレイ層MAL1は、アライメントマーク22Bを有する絶縁層21と、絶縁層21上に形成され、記録層25及び電極層26を含む積層構造とから構成され、積層構造内の全ての層は、可視光の透過率が1%以上の材料から構成される。
