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文采唇柱苣苔的组培方法
- 专利权人:
- 天津滨海国际花卉科技园区股份有限公司
- 发明人:
- 杨铁顺,赵亮,柯盛发,刘青,吴建平,闵宇,刘阳
- 申请号：
- CN201310656572.0
- 公开号：
- CN103651134A
- 申请日:
- 2013.12.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 孙春玲
- 摘要：
- 本发明属于植物组织培养领域，尤其是涉及一种文采唇柱苣苔的组培方法。取去掉叶柄的嫩叶叶片，经流水冲洗30min后，沥净水份，在超净工作台上用75%的酒精浸润30s，再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7-8min，经无菌水冲洗5-6次，充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5-1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上，放在温度为23℃的培养室里培养；并且逐步继代培养。每天光照10-12h，光照强度1600-2000Lx，湿度85%-90%。采用本发明的组培方法能使文采唇苣苔快速生长，并且其叶片呈深绿色，叶片厚挺拔，富光泽；株型整齐；苞片颜色纯正艳丽，可观赏性强。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
