PURPOSE: A method for manufacturing an invasive electrode based on glass wafer is provided to omit a furnace process. CONSTITUTION: A method for manufacturing an invasive electrode based on glass wafer is as follows. A glass wafer(200) and a silicon wafer(100) are prepared. One or more grooves are formed on at least one side of the glass wafer. A hole passing through the glass wafer is formed in the groove. The other side of the glass wafer and one side of the silicon wafer are welded. The invasive electrode corresponding to the groove is formed by etching the other side of the silicon wafer.글래스 웨이퍼 기반의 침습형 전극 제작방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 본 발명은 글래스 웨이퍼(glass wafer) 및 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 준비하는 단계와, 글래스 웨이퍼의 일면에 적어도 하나 이상의 홈부를 형성하는 단계와, 상기 홈부에 글래스 웨이퍼를 관통하는 홀을 형성하는 단계와, 글래스 웨이퍼의 타면과 실리콘 웨이퍼의 일면을 접합하는 단계 및 실리콘 웨이퍼의 타면을 식각하여 홈부에 대응하는 침습형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 침습형 전극의 제작방법이 개시된다.
