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ＳＴＩウエハーの研磨にてディッシングの低減を示すＣＭＰ組成物
- 专利权人:
- キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
- 发明人:
- スディープ パリカラ クティアトール,ケビン ドッカリー,プラティバ パンディー,ジア レンホー
- 申请号：
- JP20170526664
- 公开号：
- JP2018504770(A)
- 申请日:
- 2015.11.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、研磨剤と、Ｘ１及びＸ２、Ｚ１及びＺ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４、及びｎが本明細書で定義されている式（Ｉ）のイオン性ポリマーと、ポリヒドロキシ芳香族化合物と、ポリビニルアルコールと、水とを含有する化学的／機械的な研磨用組成物を提供し、その際、該研磨用組成物は約１〜約４．５のｐＨを有する。本発明はさらに、本発明の化学的／機械的な研磨用組成物によって基板を化学的に／機械的に磨く方法を提供する。通常、該基板は、酸化珪素、窒化珪素及び／またはポリシリコンを含有する。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
