III–V族纳米结构及其制作方法
- 专利权人:
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 发明人:
- 潘革波,邓凤祥,胡立峰,赵宇
- 申请号：
- CN201410140814.5
- 公开号：
- CN104973558B
- 申请日:
- 2014.04.10
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 王锋
- 摘要：
- 本申请公开了一种III‑V族纳米结构，包括III‑V族基底以及形成于所述III‑V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III‑V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III‑V族三维层状多孔纳米结构材料在结构上，具备纯度高，形貌结构一致（呈六方状），层状分布明显等特点；在制备工艺上，具备反应条件温和，设备简单，工艺条件易控，而且成本低等优点，并符合实际生产的需要。该新颖结构有望应用于III‑V族基的先进光学电子器件中，包括LED，生物化学传感器，太阳能电池，光学元器件等。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
