一种水体中层水草种植基
- 专利权人:
- 杨成胜
- 发明人:
- 杨成胜
- 申请号：
- CN201320348820.0
- 公开号：
- CN203279607U
- 申请日:
- 2013.06.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本实用新型公开了一种水体中层水草种植基，其特征是，水草种植基由浮球、框架、塑料泡沫种植基、锚石组成，框架为长方形，框架内设置若干正方形空格，每个空格设置一个塑料泡沫种植基，塑料泡沫种植基中心设置种植孔，框架的上方设置浮球纲绳，浮球纲绳上方连接浮球，作为水草种植基位置标志物，框架的底部设置锚石纲绳，锚石纲绳的底部设置锚石，用于固定水草种植基，通过控制锚石纲绳长度来控制水草种植基在水层中的深度；采用本实用新型水草种植基，水草根部种植在塑料泡沫种植基的种植孔内，水草即可在水层中生长；本实用新型便于制作、易于使用、效果良好，值得推广。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
