植入式神经换能器
- 专利权人:
- 塞威实验室有限责任公司
- 发明人:
- R·塞尼
- 申请号：
- CN201880021830.9
- 公开号：
- CN110461409A
- 申请日:
- 2018.05.02
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本文提供了可植入神经换能器,以及制造这种可植入神经换能器的方法。示例性可植入神经换能器包括从由基板提供的外表面突出的多个半导体结构和从基板的外表面延伸到基板的内表面并且在基板中的多个开口内的多个导体。每个导体电耦合到半导体结构之一。示例性可植入神经换能器还包括通过导体电耦合到半导体结构的一个或多个电子部件和键合到基板的帽,以提供被密封的腔室。被密封的腔室包含所述一个或多个电子部件。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
