A capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device 100 includes at least one CMUT cell 101a including a first substrate 101 having a top side including a patterned dielectric layer thereon including a thick 106 and a thin 107 dielectric region. A membrane layer 120b is bonded on the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a movable membrane over a microelectromechanical system (MEMS) cavity 114. A through-substrate via (TSV) 111 includes a dielectric liner 131 which extends from a bottom side of the first substrate to a top surface of the membrane layer. A top side metal layer 161 includes a first portion over the TSV, over the movable membrane, and coupling the TSV to the movable membrane. A patterned metal layer 167 is on the bottom side surface of the first substrate including a first patterned layer portion contacting the bottom side of the first substrate lateral to the TSV.Linvention a trait à un dispositif (100) à transducteur ultrasonore capacitif micro-usiné (CMUT) qui comprend au moins une cellule CMUT (101a) comportant un premier substrat (101) sur le dessus duquel se trouve une couche diélectrique à motif incluant une région diélectrique épaisse (106) et une région diélectrique mince (107). Une couche de membrane (120b) est posée sur la région diélectrique épaisse et par-dessus la région diélectrique mince pour créer une membrane amovible par-dessus une cavité (114) de système microélectromécanique (MEMS). Un trou dinterconnexion à travers un substrat (TSV) (111) comprend un revêtement diélectrique (131) qui sétend à partir du dessous du premier substrat pour rejoindre la surface supérieure de la couche de membrane. Une couche métallique supérieure (161) comporte une première partie située par-dessus le TSV et par-dessus la membrane amovible, et couplant ces deux derniers. Une couche métallique à motif (167) se trouve sur la surface inférieure du premier substrat, qui inclut une première partie couche à motif en
