融合等效电路和遗传算法的方环阵列电磁吸收体设计方法
- 专利权人:
- 南京理工大学
- 发明人:
- 车文荃,韩叶,熊瑛,常玉梅
- 申请号：
- CN201510121477.X
- 公开号：
- CN104809270A
- 申请日:
- 2015.03.19
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 马鲁晋
- 摘要：
- 本发明提出一种快速高效设计基于方环阵列的吸收体的方法 — 方环阵列等效电路结合遗传算法。该方法首先在无耗方环阵列的等效电路模型基础上，引入电阻损耗与等效介电常数两个参量，得出中心加载集总电阻的单/双环阵列等效电路模型及计算公式；然后结合传输线理论，最终推导出多层结构吸收体的等效电路；最后在等效电路的基础上，采用遗传算法对结构的性能进行优化，形成完整的优化设计流程。该方法可设计基于方环阵列的多层吸收体，并可根据实际需求来定义设计目标，可自由设计宽带低剖面吸收体。使用该方法设计吸收体，时间短、误差小并且效率高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
