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一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫新型结构
- 专利权人:
- 深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 李烨,罗超,李楠,陈巧燕,李柔,苏适,刘新
- 申请号：
- CN201711420015.3
- 公开号：
- CN109953758A
- 申请日:
- 2017.25.12
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种磁共振成像的高介电常数衬垫新型结构。具体地,本发明提供了一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫,其特征在于,所述高介电常数衬垫包含多个由高介电常数材料形成的方块的阵列,相邻的方块以一定的间隙连接在一起。所述间隙的尺寸为1mm~5mm。所述高介电常数材料为钛酸钡和水的均匀混合物。本发明利用的高介电常数材料衬垫结构解决了混合物分布不均匀的问题,并有效缓解了高介电常数材料衬垫在磁共振环境下对电磁场的屏蔽效应,提高了磁共振成像的均匀性。本发明还提供了用于形成所述高介电常数衬垫的方法。这种设计结构制作工艺简便,成本相对低,可根据实际需要进行尺寸扩展。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
