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一种富硒半夏的高产种植方法
专利权人:
包宗辉
发明人:
包宗辉
申请号:
CN201510785366.9
公开号:
CN106688514A
申请日:
2015.11.14
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
摘要:
一种富硒半夏的高产种植方法,实现本方案的方法步骤如下:栽培后每二十五天喷施一次配方肥;所述配方肥由块根块茎膨大剂8-10份、亚硒酸钠2-6份、高含量流体复合肥5-8份,小分子水800-1000份组成;配制方法是:先把亚硒酸钠、块根块茎膨大剂和高含量流体复合肥混合10分钟后再与同等量的水混合搅拌均匀,充分溶解后与余量的水混合立即喷施。本发明的有益效果是:(1)由于采用上述方案,提高半夏叶片的叶绿素含量及光合作用;(2)促进半夏根系生长发育及其对氮磷钾、中微量元素的吸收运转,提高肥料利用率;(3)提高半夏抗旱、抗重茬、抗病能力;(4)经20.5亩试种田块收获的产量与现有技术相比,用本方法繁育的半夏块根块茎膨大比较快速,产量提高20%以上。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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