石斛育苗方法
- 专利权人:
- 深圳市华盛实业股份有限公司
- 发明人:
- 陈文,敖静,张云霞
- 申请号：
- CN201611027267.5
- 公开号：
- CN106718875B
- 申请日:
- 2016.11.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 胡海国
- 摘要：
- 本发明公开一种石斛育苗方法，该方法包括：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段继续在培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm时，将其转入培养基中进行生根培养。本发明的技术方案可以有效的增加扩繁数量，从而能生产出大量优质的石斛苗。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
